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Vishay Intertech SIHA6N65E-E3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIHA6N65E-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E83290251 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 18A 0.6Ω@10V,3A 31W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3753 | $ 1.3753 |
| 200+ | $0.5323 | $ 106.4600 |
| 500+ | $0.5146 | $ 257.3000 |
| 1000+ | $0.5040 | $ 504.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIHA6N65E-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 18A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.6Ω@10V,3A | |
| Stromableitung (Pd) | 31W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 8pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 820pF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 48nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $0.5040 | $ 504.0000 |
