| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIHA25N50E-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E83280452 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 16A 0.145Ω@10V,12A 35W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.4097 | $ 2.4097 |
| 200+ | $0.9335 | $ 186.7000 |
| 500+ | $0.8996 | $ 449.8000 |
| 1000+ | $0.8838 | $ 883.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIHA25N50E-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 500V | |
| Dauerdr. | 16A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.145Ω@10V,12A | |
| Stromableitung (Pd) | 35W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 8pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.98nF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 86nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.4097 | $ 2.4097 |
| 200+ | $0.9335 | $ 186.7000 |
| 500+ | $0.8996 | $ 449.8000 |
| 1000+ | $0.8838 | $ 883.8000 |
