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Vishay Intertech SIHA21N65EF-E3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIHA21N65EF-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E85899993 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 21A 180mΩ@10V,11A 35W 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $6.8213 | $ 6.8213 |
| 200+ | $2.7217 | $ 544.3400 |
| 500+ | $2.6304 | $ 1315.2000 |
| 1000+ | $2.5866 | $ 2586.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIHA21N65EF-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 21A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 180mΩ@10V,11A | |
| Stromableitung (Pd) | 35W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.322nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 106nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 500+ | $2.6304 | $ 1315.2000 |
| 1000+ | $2.5866 | $ 2586.6000 |
