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Vishay Intertech SIE812DF-T1-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIE812DF-T1-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E85918968 |
| Gehäuse | PolArPAK-10 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 60A 2.6mΩ@10V,25A 3V@250uA 1 N-channel PolArPAK-10 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8793 | $ 4.8793 |
| 200+ | $1.9483 | $ 389.6600 |
| 500+ | $1.8821 | $ 941.0500 |
| 1000+ | $1.8507 | $ 1850.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 40V | |
| Dauerdr. | 60A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 2.6mΩ@10V,25A | |
| Stromableitung (Pd) | 5.2W;125W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 8.3nF@20V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 170nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $1.8507 | $ 1850.7000 |
