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Vishay Intertech SIE808DF-T1-GE3


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIE808DF-T1-GE3
EBEE-Teilenummer
E86228023
Gehäuse
PolArPAK-10
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
20V 60A 1.6mΩ@10V,25A 3V@250uA 1 N-channel PolArPAK-10 MOSFETs ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$5.6721$ 5.6721
200+$2.2637$ 452.7400
500+$2.1888$ 1094.4000
1000+$2.1504$ 2150.4000
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
DatenblattVISHAY SIE808DF-T1-GE3
RoHS
Temperatur-55℃~+150℃@(Tj)
Typ1 N-channel
Drain Quelle Spannung (Vdss)20V
Dauerdr.60A
Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id)1.6mΩ@10V,25A
Stromableitung (Pd)5.2W;125W
Torschwellenspannung (Vgs(th) Id)3V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)600pF@10V
Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds)8.8nF@10V
Gesamttorgebühr (Qg-Vgs)155nC@10V

Einkaufsleitfaden

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