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Vishay Intertech SIE802DF-T1-E3


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIE802DF-T1-E3
EBEE-Teilenummer
E86816575
Gehäuse
PolArPAK-10
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
30V 60A 1.9mΩ@10V,23.6A 2.7V@250uA 1 N-channel PolArPAK-10 MOSFETs ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$5.7845$ 5.7845
200+$2.3093$ 461.8600
500+$2.2309$ 1115.4500
1000+$2.1926$ 2192.6000
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
DatenblattVISHAY SIE802DF-T1-E3
RoHS
Temperatur-55℃~+150℃@(Tj)
Typ1 N-channel
Drain Quelle Spannung (Vdss)30V
Dauerdr.60A
Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id)1.9mΩ@10V,23.6A
Stromableitung (Pd)5.2W;125W
Torschwellenspannung (Vgs(th) Id)2.7V@250uA
Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds)7nF@15V
Gesamttorgebühr (Qg-Vgs)160nC@10V

Einkaufsleitfaden

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