| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIE802DF-T1-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E86816575 |
| Gehäuse | PolArPAK-10 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 60A 1.9mΩ@10V,23.6A 2.7V@250uA 1 N-channel PolArPAK-10 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7845 | $ 5.7845 |
| 200+ | $2.3093 | $ 461.8600 |
| 500+ | $2.2309 | $ 1115.4500 |
| 1000+ | $2.1926 | $ 2192.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SIE802DF-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 60A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 1.9mΩ@10V,23.6A | |
| Stromableitung (Pd) | 5.2W;125W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.7V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 7nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 160nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7845 | $ 5.7845 |
| 200+ | $2.3093 | $ 461.8600 |
| 500+ | $2.2309 | $ 1115.4500 |
| 1000+ | $2.1926 | $ 2192.6000 |
