| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI8816EDB-T2-E1 |
| EBEE-Teilenummer | E8145320 |
| Gehäuse | BGA-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 2.3A 500mW 0.109Ω@10V,2.3A 1.4V@250uA 1 N-channel BGA-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5058 | $ 0.5058 |
| 10+ | $0.4950 | $ 4.9500 |
| 30+ | $0.4877 | $ 14.6310 |
| 100+ | $0.4805 | $ 48.0500 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SI8816EDB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 2.3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.109Ω@10V,2.3A | |
| Stromableitung (Pd) | 500mW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4.4pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 195pF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 2.4nC@15V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5058 | $ 0.5058 |
| 10+ | $0.4950 | $ 4.9500 |
| 30+ | $0.4877 | $ 14.6310 |
| 100+ | $0.4805 | $ 48.0500 |
