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Vishay Intertech SI8812DB-T2-E1


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SI8812DB-T2-E1
EBEE-Teilenummer
E8727314
Gehäuse
UFBGA-4
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
20V 3.2A 59mΩ@4.5V,1A 500mW 400mV@250uA 1 N-channel UFBGA-4 MOSFETs ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$0.1886$ 0.1886
200+$0.0730$ 14.6000
500+$0.0705$ 35.2500
1000+$0.0692$ 69.2000
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
DatenblattVISHAY SI8812DB-T2-E1
RoHS
Temperatur-55℃~+150℃@(Tj)
Typ1 N-channel
Drain Quelle Spannung (Vdss)20V
Dauerdr.3.2A
Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id)59mΩ@4.5V,1A
Stromableitung (Pd)500mW
Torschwellenspannung (Vgs(th) Id)400mV@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)-
Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds)0.14pF@20V
Gesamttorgebühr (Qg-Vgs)17nC@8V

Einkaufsleitfaden

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