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Vishay Intertech SI8808DB-T2-E1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI8808DB-T2-E1 |
| EBEE-Teilenummer | E8145290 |
| Gehäuse | BGA-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 1.8A 95mΩ@4.5V,1A 500mW 900mV@250uA 1 N-channel BGA-4 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7207 | $ 0.7207 |
| 10+ | $0.7066 | $ 7.0660 |
| 30+ | $0.6959 | $ 20.8770 |
| 100+ | $0.6852 | $ 68.5200 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SI8808DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 1.8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 95mΩ@4.5V,1A | |
| Stromableitung (Pd) | 500mW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 900mV@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 330pF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 10nC@8V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
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| 10+ | $0.7066 | $ 7.0660 |
| 30+ | $0.6959 | $ 20.8770 |
| 100+ | $0.6852 | $ 68.5200 |
