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Vishay Intertech SI8802DB-T2-E1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI8802DB-T2-E1 |
| EBEE-Teilenummer | E8727431 |
| Gehäuse | XFBGA-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 8V 3.5A 0.054Ω@4.5V,1A 600mW 700mV@250uA 1 N-channel XFBGA-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.6831 | $ 6.8310 |
| 30+ | $0.5948 | $ 17.8440 |
| 100+ | $0.5080 | $ 50.8000 |
| 500+ | $0.4560 | $ 228.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SI8802DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 54mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 600mW | |
| Drain to Source Voltage | 8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 700mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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