| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI8497DB-T2-E1 |
| EBEE-Teilenummer | E8727373 |
| Gehäuse | UFBGA-6 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 5.9A 53mΩ@4.5V,1.5A 500mV@250uA 1 Piece P-Channel UFBGA-6 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2640 | $ 0.2640 |
| 200+ | $0.1022 | $ 20.4400 |
| 500+ | $0.0987 | $ 49.3500 |
| 1000+ | $0.0968 | $ 96.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SI8497DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 5.9A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 53mΩ@4.5V,1.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 2.77W;13W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 500mV@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 102pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.32nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 49nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2640 | $ 0.2640 |
| 200+ | $0.1022 | $ 20.4400 |
| 500+ | $0.0987 | $ 49.3500 |
| 1000+ | $0.0968 | $ 96.8000 |
