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Vishay Intertech SI8483DB-T2-E1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI8483DB-T2-E1 |
| EBEE-Teilenummer | E8142558 |
| Gehäuse | BGA-6 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 12V 16A 26mΩ@4.5V,1.5A 800mV@250uA 1 Piece P-Channel BGA-6 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3331 | $ 1.3331 |
| 10+ | $1.1733 | $ 11.7330 |
| 30+ | $1.0846 | $ 32.5380 |
| 100+ | $0.9869 | $ 98.6900 |
| 500+ | $0.9425 | $ 471.2500 |
| 1000+ | $0.9231 | $ 923.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SI8483DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 12V | |
| Dauerdr. | 16A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 26mΩ@4.5V,1.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 2.77W;13W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 800mV@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.84nF@6V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 65nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3331 | $ 1.3331 |
| 10+ | $1.1733 | $ 11.7330 |
| 30+ | $1.0846 | $ 32.5380 |
| 100+ | $0.9869 | $ 98.6900 |
| 500+ | $0.9425 | $ 471.2500 |
| 1000+ | $0.9231 | $ 923.1000 |
