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Vishay Intertech SI8472DB-T2-E1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI8472DB-T2-E1 |
| EBEE-Teilenummer | E8143657 |
| Gehäuse | UFBGA-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 3.3A 1.1W 0.044Ω@4.5V,1.5A 900mV@250uA 1 N-channel UFBGA-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
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| 10+ | $1.0726 | $ 10.7260 |
| 30+ | $1.0603 | $ 31.8090 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SI8472DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 70mΩ@1.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@8V |
Einkaufsleitfaden
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