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Vishay Intertech SI7892BDP-T1-E3


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SI7892BDP-T1-E3
EBEE-Teilenummer
E82925172
Gehäuse
SO-8
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
30V 25A 0.0042Ω@10V,25A 5W 1V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$1.0771$ 1.0771
10+$0.9032$ 9.0320
30+$0.8091$ 24.2730
100+$0.7009$ 70.0900
500+$0.6531$ 326.5500
1000+$0.6317$ 631.7000
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
DatenblattVISHAY SI7892BDP-T1-E3
RoHS
Temperatur-55℃~+150℃
Typ1 N-channel
Drain Quelle Spannung (Vdss)30V
Dauerdr.25A
Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id)0.0042Ω@10V,25A
Stromableitung (Pd)5W
Torschwellenspannung (Vgs(th) Id)1V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)295pF@15V
Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds)3.775nF@15V
Gesamttorgebühr (Qg-Vgs)40nC@15V

Einkaufsleitfaden

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