| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI7892BDP-T1-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E82925172 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 25A 0.0042Ω@10V,25A 5W 1V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0771 | $ 1.0771 |
| 10+ | $0.9032 | $ 9.0320 |
| 30+ | $0.8091 | $ 24.2730 |
| 100+ | $0.7009 | $ 70.0900 |
| 500+ | $0.6531 | $ 326.5500 |
| 1000+ | $0.6317 | $ 631.7000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SI7892BDP-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 25A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.0042Ω@10V,25A | |
| Stromableitung (Pd) | 5W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 295pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3.775nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 40nC@15V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0771 | $ 1.0771 |
| 10+ | $0.9032 | $ 9.0320 |
| 30+ | $0.8091 | $ 24.2730 |
| 100+ | $0.7009 | $ 70.0900 |
| 500+ | $0.6531 | $ 326.5500 |
| 1000+ | $0.6317 | $ 631.7000 |
