| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI7230DN-T1-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E85899683 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 9A 12mΩ@10V,14A 1.5W 3V@250uA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6015 | $ 1.6015 |
| 200+ | $0.6396 | $ 127.9200 |
| 500+ | $0.6187 | $ 309.3500 |
| 1000+ | $0.6082 | $ 608.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SI7230DN-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 9A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 12mΩ@10V,14A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.5W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 20nC@5V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6015 | $ 1.6015 |
| 200+ | $0.6396 | $ 127.9200 |
| 500+ | $0.6187 | $ 309.3500 |
| 1000+ | $0.6082 | $ 608.2000 |
