| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI7113DN-T1-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E8141565 |
| Gehäuse | PowerPAK1212-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 13.2A 134mΩ@10V,4A 3V@250uA 1 Piece P-Channel PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.0589 | $ 5.0589 |
| 10+ | $4.9468 | $ 49.4680 |
| 30+ | $4.8728 | $ 146.1840 |
| 100+ | $4.7987 | $ 479.8700 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SI7113DN-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -50℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 13.2A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 134mΩ@10V,4A | |
| Stromableitung (Pd) | 3.7W;52W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.48nF@50V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 55nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.0589 | $ 5.0589 |
| 10+ | $4.9468 | $ 49.4680 |
| 30+ | $4.8728 | $ 146.1840 |
| 100+ | $4.7987 | $ 479.8700 |
