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Vishay Intertech SI7112DN-T1-E3


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SI7112DN-T1-E3
EBEE-Teilenummer
E85918265
Gehäuse
-
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
30V 17.8A 3.8W 7.5mΩ@10V,17.8A 1.5V@250uA 1 N-channel MOSFETs ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$2.2585$ 2.2585
200+$0.9010$ 180.2000
500+$0.8714$ 435.7000
1000+$0.8557$ 855.7000
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
DatenblattVISHAY SI7112DN-T1-E3
RoHS
Temperatur-50℃~+150℃@(Tj)
Typ1 N-channel
Drain Quelle Spannung (Vdss)30V
Dauerdr.17.8A
Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id)7.5mΩ@10V,17.8A
Stromableitung (Pd)3.8W
Torschwellenspannung (Vgs(th) Id)1.5V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)145pF@15V
Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds)2.61nF@15V
Gesamttorgebühr (Qg-Vgs)[email protected]

Einkaufsleitfaden

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