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Vishay Intertech SI3552DV-T1-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI3552DV-T1-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E8727510 |
| Gehäuse | TSOP-6 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 2.5A 0.2Ω@10V,1.8A 730mW 1V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel TSOP-6-1.7mm MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4982 | $ 0.4982 |
| 10+ | $0.3973 | $ 3.9730 |
| 30+ | $0.3531 | $ 10.5930 |
| 100+ | $0.2980 | $ 29.8000 |
| 500+ | $0.2743 | $ 137.1500 |
| 1000+ | $0.2601 | $ 260.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Datenblatt | VISHAY SI3552DV-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | N-Channel + P-Channel | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 730mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.5A |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
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| 30+ | $0.3531 | $ 10.5930 |
| 100+ | $0.2980 | $ 29.8000 |
| 500+ | $0.2743 | $ 137.1500 |
| 1000+ | $0.2601 | $ 260.1000 |
