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Diodes Incorporated ZXMN3G32DN8TA
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ZXMN3G32DN8TA |
| EBEE-Teilenummer | E8151582 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 7.1A 0.028Ω@10V,7.1A 1.25W 1V@250uA 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Datenblatt | DIODES ZXMN3G32DN8TA | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | N-Channel | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 65pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.1A | |
| Output Capacitance(Coss) | 178pF |
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