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Diodes Incorporated BSS8402DWQ-7
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BSS8402DWQ-7 |
| EBEE-Teilenummer | E8460013 |
| Gehäuse | SOT-363 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 115mA 200mW 3.2Ω@5V,0.05A 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Datenblatt | DIODES BSS8402DWQ-7 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | N-Channel + P-Channel | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2pF;12pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V;50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V;2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA;130mA | |
| Output Capacitance(Coss) | 11pF;25pF |
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