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Diodes Incorporated DMG1016V-7
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DMG1016V-7 |
| EBEE-Teilenummer | E8161616 |
| Gehäuse | SOT-563 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 400mΩ@600mA,4.5V 530mW 1V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel SOT-563 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 50+ | $0.0325 | $ 1.6250 |
| 150+ | $0.0284 | $ 4.2600 |
| 500+ | $0.0254 | $ 12.7000 |
| 3000+ | $0.0230 | $ 69.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Datenblatt | DIODES DMG1016V-7 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | N-Channel + P-Channel | |
| Konfiguration | Common Source | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 6.36pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 530mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 870mA | |
| Output Capacitance(Coss) | 12.07pF |
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