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Vishay Intertech SI3443CDV-T1-E3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI3443CDV-T1-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E8727385 |
| Gehäuse | TSOP-6 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TSOP-6-1.5mm MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1712 | $ 0.8560 |
| 50+ | $0.1673 | $ 8.3650 |
| 150+ | $0.1648 | $ 24.7200 |
| 500+ | $0.1622 | $ 81.1000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SI3443CDV-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 50mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 105pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.2W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.97A | |
| Ciss-Input Capacitance | 610pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 132pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.1622 | $ 81.1000 |
