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Vishay Intertech SI1967DH-T1-E3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI1967DH-T1-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E8727318 |
| Gehäuse | SOT-363 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 1.3A 490mΩ@4.5V,910mA 0.74W 400mV@250uA 2 P-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5075 | $ 0.5075 |
| 200+ | $0.1964 | $ 39.2800 |
| 500+ | $0.1895 | $ 94.7500 |
| 1000+ | $0.1861 | $ 186.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Datenblatt | VISHAY SI1967DH-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 2 P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 1.3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 490mΩ@4.5V,910mA | |
| Stromableitung (Pd) | 0.74W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 400mV@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 16pF@10V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 110pF@10V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 4nC@8V |
Einkaufsleitfaden
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| 200+ | $0.1964 | $ 39.2800 |
| 500+ | $0.1895 | $ 94.7500 |
| 1000+ | $0.1861 | $ 186.1000 |
