Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
Vishay Intertech SI1926DL-T1-E3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI1926DL-T1-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E8727310 |
| Gehäuse | SOT-363 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 0.37A 1.4Ω@10V,0.34A 300mW 1V@250uA 2 N-Channel SOT-363-6 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>810 Auf Lager für schnelle Lieferung
810 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2660 | $ 1.3300 |
| 50+ | $0.2149 | $ 10.7450 |
| 150+ | $0.1930 | $ 28.9500 |
| 500+ | $0.1657 | $ 82.8500 |
| 3000+ | $0.1536 | $ 460.8000 |
| 6000+ | $0.1463 | $ 877.8000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY SI1926DL-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 1.4Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4.2pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 370mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 18.5pF | |
| Gate Charge(Qg) | 900pC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
810 Stock for Shipping Fast
810 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2660 | $ 1.3300 |
| 50+ | $0.2149 | $ 10.7450 |
| 150+ | $0.1930 | $ 28.9500 |
| 500+ | $0.1657 | $ 82.8500 |
| 3000+ | $0.1536 | $ 460.8000 |
| 6000+ | $0.1463 | $ 877.8000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
