| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRFIBE30GPBF |
| EBEE-Teilenummer | E8144967 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 2.1A 35W 3Ω@10V,1.3A 4V@250uA 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3242 | $ 1.3242 |
| 10+ | $1.2958 | $ 12.9580 |
| 30+ | $1.2763 | $ 38.2890 |
| 100+ | $1.2567 | $ 125.6700 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY IRFIBE30GPBF | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 2.1A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 3Ω@10V,1.3A | |
| Stromableitung (Pd) | 35W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.3nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 78nC@10V |
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3242 | $ 1.3242 |
| 10+ | $1.2958 | $ 12.9580 |
| 30+ | $1.2763 | $ 38.2890 |
| 100+ | $1.2567 | $ 125.6700 |
