Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
Vishay Intertech IRFD110PBF
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRFD110PBF |
| EBEE-Teilenummer | E83005 |
| Gehäuse | HVMDIP-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 0.71A 1.3W 0.54Ω@10V,0.6A 2V@250uA 1 N-channel HVMDIP-4 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5489 | $ 0.5489 |
| 10+ | $0.4434 | $ 4.4340 |
| 30+ | $0.3914 | $ 11.7420 |
| 100+ | $0.3394 | $ 33.9400 |
| 500+ | $0.3073 | $ 153.6500 |
| 1000+ | $0.2905 | $ 290.5000 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY IRFD110PBF | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 540mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 180pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 81pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.3nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5489 | $ 0.5489 |
| 10+ | $0.4434 | $ 4.4340 |
| 30+ | $0.3914 | $ 11.7420 |
| 100+ | $0.3394 | $ 33.9400 |
| 500+ | $0.3073 | $ 153.6500 |
| 1000+ | $0.2905 | $ 290.5000 |
