| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRFD014PBF |
| EBEE-Teilenummer | E8506428 |
| Gehäuse | HVMDIP-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 1.7A 0.2Ω@10V,1A 1.3W 2V@250uA HVMDIP-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6819 | $ 0.6819 |
| 10+ | $0.5433 | $ 5.4330 |
| 30+ | $0.4748 | $ 14.2440 |
| 100+ | $0.4063 | $ 40.6300 |
| 500+ | $0.3659 | $ 182.9500 |
| 1000+ | $0.3441 | $ 344.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY IRFD014PBF | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 200mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 37pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 310pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 160pF | |
| Gate Charge(Qg) | 11nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6819 | $ 0.6819 |
| 10+ | $0.5433 | $ 5.4330 |
| 30+ | $0.4748 | $ 14.2440 |
| 100+ | $0.4063 | $ 40.6300 |
| 500+ | $0.3659 | $ 182.9500 |
| 1000+ | $0.3441 | $ 344.1000 |
