| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRFBF30PBF |
| EBEE-Teilenummer | E8466978 |
| Gehäuse | TO-220AB-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 900V 2.3A 3.7Ω@10V,2.2A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7826 | $ 1.7826 |
| 10+ | $1.5334 | $ 15.3340 |
| 50+ | $1.3763 | $ 68.8150 |
| 100+ | $1.2174 | $ 121.7400 |
| 500+ | $1.1451 | $ 572.5500 |
| 1000+ | $1.1126 | $ 1112.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY IRFBF30PBF | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 900V | |
| Dauerdr. | 2.3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 3.7Ω@10V,2.2A | |
| Stromableitung (Pd) | 125W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 200pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.2nF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 78nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7826 | $ 1.7826 |
| 10+ | $1.5334 | $ 15.3340 |
| 50+ | $1.3763 | $ 68.8150 |
| 100+ | $1.2174 | $ 121.7400 |
| 500+ | $1.1451 | $ 572.5500 |
| 1000+ | $1.1126 | $ 1112.6000 |
