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Vishay Intertech IRFBE30SPBF
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRFBE30SPBF |
| EBEE-Teilenummer | E8506483 |
| Gehäuse | D2PAK(TO-263) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 4.1A 3Ω@10V,2.5A 125W 2V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263AB) MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY IRFBE30SPBF | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 190pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 310pF | |
| Gate Charge(Qg) | 78nC@10V |
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