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Vishay Intertech IRFB9N65APBF
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRFB9N65APBF |
| EBEE-Teilenummer | E86211052 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 5.4A 0.93Ω@10V,5.1A 167W 2V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
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| 10+ | $1.8997 | $ 18.9970 |
| 50+ | $1.8703 | $ 93.5150 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY IRFB9N65APBF | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 930mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 167W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.417nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 177pF | |
| Gate Charge(Qg) | 48nC@10V |
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