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Vishay Intertech IRF640STRRPBF
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRF640STRRPBF |
| EBEE-Teilenummer | E8428750 |
| Gehäuse | TO-263(D2PAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 18A 180mΩ@10V,11A 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6328 | $ 1.6328 |
| 10+ | $1.3725 | $ 13.7250 |
| 30+ | $1.2290 | $ 36.8700 |
| 100+ | $1.0681 | $ 106.8100 |
| 500+ | $0.9955 | $ 497.7500 |
| 800+ | $0.9640 | $ 771.2000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY IRF640STRRPBF | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 180mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W;130W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 70nC@10V |
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