| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRF620PBF-BE3 |
| EBEE-Teilenummer | E83290462 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 5.2A 0.8Ω@10V,3.1A 50W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7116 | $ 0.7116 |
| 200+ | $0.2751 | $ 55.0200 |
| 500+ | $0.2662 | $ 133.1000 |
| 1000+ | $0.2609 | $ 260.9000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY IRF620PBF-BE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 200V | |
| Dauerdr. | 5.2A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.8Ω@10V,3.1A | |
| Stromableitung (Pd) | 50W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 30pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 260pF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 14nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7116 | $ 0.7116 |
| 200+ | $0.2751 | $ 55.0200 |
| 500+ | $0.2662 | $ 133.1000 |
| 1000+ | $0.2609 | $ 260.9000 |
