| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRF510PBF |
| EBEE-Teilenummer | E8727603 |
| Gehäuse | TO-220AB-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 5.6A 0.54Ω@10V,3.4A 43W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5612 | $ 0.5612 |
| 10+ | $0.4632 | $ 4.6320 |
| 50+ | $0.3812 | $ 19.0600 |
| 100+ | $0.3332 | $ 33.3200 |
| 500+ | $0.3029 | $ 151.4500 |
| 1000+ | $0.2887 | $ 288.7000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VISHAY IRF510PBF | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 5.6A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.54Ω@10V,3.4A | |
| Stromableitung (Pd) | 43W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 180pF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 8.3nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5612 | $ 0.5612 |
| 10+ | $0.4632 | $ 4.6320 |
| 50+ | $0.3812 | $ 19.0600 |
| 100+ | $0.3332 | $ 33.3200 |
| 500+ | $0.3029 | $ 151.4500 |
| 1000+ | $0.2887 | $ 288.7000 |
