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VBsemi Elec WT1M-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | WT1M-VB |
| EBEE-Teilenummer | E841370594 |
| Gehäuse | SOT-23(TO-236) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 3.5A 1.6W 0.06Ω@10V,3A 500mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0655 | $ 0.6550 |
| 100+ | $0.0518 | $ 5.1800 |
| 300+ | $0.0450 | $ 13.5000 |
| 3000+ | $0.0398 | $ 119.4000 |
| 6000+ | $0.0357 | $ 214.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec WT1M-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 60mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 155pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 835pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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