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VBsemi Elec VS3080AD-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VS3080AD-VB |
| EBEE-Teilenummer | E819632048 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 100A 2mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3003 | $ 0.3003 |
| 10+ | $0.2942 | $ 2.9420 |
| 30+ | $0.2897 | $ 8.6910 |
| 100+ | $0.2837 | $ 28.3700 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VS3080AD-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 235W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.525nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.2897 | $ 8.6910 |
| 100+ | $0.2837 | $ 28.3700 |
