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VBsemi Elec VBZA9435
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBZA9435 |
| EBEE-Teilenummer | E8700606 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 5.8A 2.5W 700mV@250uA 1 Piece P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3411 | $ 0.3411 |
| 10+ | $0.2732 | $ 2.7320 |
| 30+ | $0.2441 | $ 7.3230 |
| 100+ | $0.2079 | $ 20.7900 |
| 500+ | $0.1917 | $ 95.8500 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBZA9435 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 33mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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