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VBsemi Elec VBZA4435
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBZA4435 |
| EBEE-Teilenummer | E8416342 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 9A 2.5W 0.018Ω@10V,7A 1V@250uA 1 Piece P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.3063 | $ 15.3150 |
| 150+ | $0.2733 | $ 40.9950 |
| 500+ | $0.2069 | $ 103.4500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBZA4435 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 24mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 145pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.455nF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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