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VBsemi Elec VBQF5325
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBQF5325 |
| EBEE-Teilenummer | E87541194 |
| Gehäuse | DFN3x3-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 15mΩ@10V 1 N-Channel + 1 P-Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBQF5325 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel + P-Channel | |
| RDS(on) | 13mΩ@10V;40mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 33pF;37pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W;2.7W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A;6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 900pF;1.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 95pF;115pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@10V;41.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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