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VBsemi Elec VBQF4338
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBQF4338 |
| EBEE-Teilenummer | E87541170 |
| Gehäuse | DFN-8(3x3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 6.4A 2.8W 1V@250uA 2 P-Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
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| 30+ | $0.5621 | $ 16.8630 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBQF4338 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 38mΩ@10V;60mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.8pF | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.8W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 14nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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