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VBsemi Elec VBQF2120
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBQF2120 |
| EBEE-Teilenummer | E8481057 |
| Gehäuse | DFN-8(3x3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 12V 20A 3.9W 0.015Ω@4.5V,1A 1.5V@250uA 1 N-channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.5506 | $ 5.5060 |
| 30+ | $0.4859 | $ 14.5770 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBQF2120 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 15mΩ@4.5V;21mΩ@2.5V;23mΩ@1.8V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 555pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 37W | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.22nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 865pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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