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VBsemi Elec VBQA2104N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBQA2104N |
| EBEE-Teilenummer | E87525113 |
| Gehäuse | DFN5x6-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 28A 6.6W 1.8V@250uA 1 Piece P-Channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4734 | $ 1.4734 |
| 10+ | $1.2210 | $ 12.2100 |
| 30+ | $1.0829 | $ 32.4870 |
| 100+ | $0.9257 | $ 92.5700 |
| 500+ | $0.8399 | $ 419.9500 |
| 1000+ | $0.8098 | $ 809.8000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBQA2104N | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 32mΩ@10V;36mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 290pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 6.6W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 390pF | |
| Gate Charge(Qg) | 76nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4734 | $ 1.4734 |
| 10+ | $1.2210 | $ 12.2100 |
| 30+ | $1.0829 | $ 32.4870 |
| 100+ | $0.9257 | $ 92.5700 |
| 500+ | $0.8399 | $ 419.9500 |
| 1000+ | $0.8098 | $ 809.8000 |
