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VBsemi Elec VBMB16R15SFD
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBMB16R15SFD |
| EBEE-Teilenummer | E822357357 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 15A 240mΩ@10V 4.5V 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1693 | $ 1.1693 |
| 10+ | $1.1421 | $ 11.4210 |
| 50+ | $1.1225 | $ 56.1250 |
| 100+ | $1.1044 | $ 110.4400 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBMB16R15SFD | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 240mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 80W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.75nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 66nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $1.1225 | $ 56.1250 |
| 100+ | $1.1044 | $ 110.4400 |
