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VBsemi Elec VBMB1606
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBMB1606 |
| EBEE-Teilenummer | E8481032 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 120A 0.005Ω@10V,20A 136W 1V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0712 | $ 1.0712 |
| 10+ | $0.8962 | $ 8.9620 |
| 50+ | $0.7499 | $ 37.4950 |
| 100+ | $0.6412 | $ 64.1200 |
| 500+ | $0.5930 | $ 296.5000 |
| 1000+ | $0.5703 | $ 570.3000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBMB1606 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 9mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 525pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.65nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.12nF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1+ | $1.0712 | $ 1.0712 |
| 10+ | $0.8962 | $ 8.9620 |
| 50+ | $0.7499 | $ 37.4950 |
| 100+ | $0.6412 | $ 64.1200 |
| 500+ | $0.5930 | $ 296.5000 |
| 1000+ | $0.5703 | $ 570.3000 |
