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VBsemi Elec VBL1203M
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBL1203M |
| EBEE-Teilenummer | E8480984 |
| Gehäuse | TO-263(D2PAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 6.7A 0.3Ω@10V,5.4A 74W 2V@250uA TO-263 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4255 | $ 0.4255 |
| 10+ | $0.4164 | $ 4.1640 |
| 30+ | $0.4104 | $ 12.3120 |
| 100+ | $0.4044 | $ 40.4400 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBL1203M | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 300mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 76pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 74W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 800pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 240pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
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| 10+ | $0.4164 | $ 4.1640 |
| 30+ | $0.4104 | $ 12.3120 |
| 100+ | $0.4044 | $ 40.4400 |
