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VBsemi Elec VBGL7103
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBGL7103 |
| EBEE-Teilenummer | E821264525 |
| Gehäuse | TO-263-7L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 180A 3mΩ@10V 1 N-channel TO-263-7L MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1+ | $2.7436 | $ 2.7436 |
| 10+ | $2.3213 | $ 23.2130 |
| 50+ | $2.0577 | $ 102.8850 |
| 100+ | $1.7878 | $ 178.7800 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBGL7103 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 21pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A | |
| Ciss-Input Capacitance | 8.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 246pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC@10V |
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