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VBsemi Elec VBE2658
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBE2658 |
| EBEE-Teilenummer | E8416267 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 35A 38.5W 0.046Ω@10V,10A 1V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.5144 | $ 5.1440 |
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| 500+ | $0.3410 | $ 170.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBE2658 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 46mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 90pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 130pF | |
| Gate Charge(Qg) | 26nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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