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VBsemi Elec VBE1104NA
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBE1104NA |
| EBEE-Teilenummer | E8967488 |
| Gehäuse | TO-252-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4300 | $ 0.4300 |
| 10+ | $0.4210 | $ 4.2100 |
| 30+ | $0.4134 | $ 12.4020 |
| 100+ | $0.4074 | $ 40.7400 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBE1104NA | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 35mΩ@10V;37mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 120pF | |
| Pd - Power Dissipation | 107W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.45nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 290pF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $0.4210 | $ 4.2100 |
| 30+ | $0.4134 | $ 12.4020 |
| 100+ | $0.4074 | $ 40.7400 |
