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VBsemi Elec VB2610N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VB2610N |
| EBEE-Teilenummer | E87429136 |
| Gehäuse | SOT-23(TO-236) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 3.5A 2W 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2403 | $ 1.2015 |
| 50+ | $0.1900 | $ 9.5000 |
| 150+ | $0.1684 | $ 25.2600 |
| 500+ | $0.1414 | $ 70.7000 |
| 3000+ | $0.1295 | $ 388.5000 |
| 6000+ | $0.1223 | $ 733.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VB2610N | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 70mΩ@10V;85mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 63pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 4.2W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 832pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 88pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
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| 50+ | $0.1900 | $ 9.5000 |
| 150+ | $0.1684 | $ 25.2600 |
| 500+ | $0.1414 | $ 70.7000 |
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