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VBsemi Elec VB2103K
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VB2103K |
| EBEE-Teilenummer | E8480920 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 300mA 3Ω@10V,0.2A 650mW 1.2V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2089 | $ 1.0445 |
| 50+ | $0.1641 | $ 8.2050 |
| 150+ | $0.1448 | $ 21.7200 |
| 500+ | $0.1209 | $ 60.4500 |
| 3000+ | $0.1102 | $ 330.6000 |
| 6000+ | $0.1038 | $ 622.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VB2103K | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 3Ω@10V;3.6Ω@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 650mW | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 300mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 75pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 6pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2089 | $ 1.0445 |
| 50+ | $0.1641 | $ 8.2050 |
| 150+ | $0.1448 | $ 21.7200 |
| 500+ | $0.1209 | $ 60.4500 |
| 3000+ | $0.1102 | $ 330.6000 |
| 6000+ | $0.1038 | $ 622.8000 |
