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VBsemi Elec VB1102M
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VB1102M |
| EBEE-Teilenummer | E8480919 |
| Gehäuse | SOT-23(TO-236) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 2A 1.6W 0.26Ω@4.5V,0.5A 1.2V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 5+ | $0.2413 | $ 1.2065 |
| 50+ | $0.1916 | $ 9.5800 |
| 150+ | $0.1703 | $ 25.5450 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VB1102M | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 240mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 13pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 190pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 22pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.2nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.1916 | $ 9.5800 |
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